【KJKX科技快讯】6月27日消息,三星近日计划于2023年下半年开始大规模生产面向人工智能(AI)应用的高带宽存储芯片。根据外媒KoreaTimes的报道,三星的目标是迎头赶上在AI存储芯片市场迅速取得领先地位的SK海力士。

据了解,2022年SK海力士在高带宽存储(HBM)市场占有约50%的份额,而三星则占有约40%的份额,美光占有剩余的10%。尽管HBM市场整体规模不大,仅占据整个动态随机存取存储器(DRAM)市场的约1%,但随着AI市场的增长,对HBM解决方案的需求预计将会增加。

据KJKX科技快讯了解,三星的战略是迎头赶上SK海力士,并大规模生产面向AI的HBM3芯片以应对市场变化。当前,应用人工智能的存储芯片正在变得越来越普遍,高带宽存储解决方案也备受关注。

此前,有消息称,三星已赢得AMD和谷歌作为其客户,将在其第三代4纳米工艺节点上制造谷歌的Tensor 3芯片。此外,有传闻称三星即将推出Exynos
2400 SoC芯片,也有可能是采用4纳米工艺制造。

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